• 主修课程：模拟 CMOS 集成电路，半导体物理
• 荣誉/奖项：第七届全国大学生集成电路创新创业大赛赛区二等奖

• 主修课程：电路，模拟电子技术基础，数字电子技术基础，信号与系统
• 荣誉/奖项：第十五届 “挑战杯” 全国大学生课外学术科技作品竞赛XX大学银奖

输入 -1.8 V 至 -20 V，输出 0 V 至 -19 V，10 Hz 至 100 kHz 上积分噪声为 0.8 μV rms，10 kHz 处 NSD 为 2.2 nV/√Hz，1 MHz 处 PSRR 为 -74 dB。采用低噪声基准电流源（10 Hz 至 100 kHz 内为 8 nA rms 及 27 pA/√Hz）与片外电阻为误差放大器提供基准电压，以实现超低噪声；采用多级全差分前馈运放作为误差放大器，结合片外 10 μF 电容，提高 PSRR；提供压差控制功能，压差过大时，通过 VIOC 引脚将电压控制信号反馈至前级 DC-DC 芯片 SW 引脚，减小压差。

项目进度：前仿真

输入1.5 V~16 V，输出 1.25 V、2.5V、3V、4.096V、5V，温度漂移系数为 3.4 ppm/°C，线性调整率 0.2 ppm/V，负载调整率 2μV/mA，休眠功耗 4 uA。采用高阶温度补偿，分别通过 I_PTAP、I_PTAT^2 补偿了 V_BE(T) 的线性项、二阶项，通过基极电流补偿了 β(T) 的非线性项，实现超低温漂。

项目进度：正在流片

输入 3.3 V 至 5V，输出 1.5 V 至 2.5 V，最大负载电流为 200 mA，在 1 Hz 至 100 Hz 上积分噪声为 0.08 uV rms，在 100 Hz 至 100 kHz 上噪声积分为 2.43 uV rms；100 kHz 处 PSRR 为 -104 dB，1 MHz 处 PSRR 为 -68 dB。采用斩波 BG 与分压电阻构成预调制级；采用亚阈值 MOS 与倍增电容实现低通滤波；误差放大器使用斩波运放减少失调和低频噪声；加入 一个由功率管镜像管组成的前馈电路，以实现高电源抑制比。

项目进度：前仿真已完成

采用 4.5 V 至 16 V 电源供电，最大负载电流为 800 mA，100 Hz 至 100 kHz 上积分噪声为 2.8 μV rms，NSD 在 10 kHz 至 1 MHz 为 1.7 nV/√Hz，PSRR 在 100 kHz 以下为 -85 dB，1 MHz 处为 -64 dB，输入 4.5 V 至 16 V 线性调整率 0.01%，负载电流 1 mA 至 800 mA 负载调整率 0.05%，输出电压可在 1.5 V 至 5.1 V 范围内调节。

项目进度：版图已完成，预计八月底流片

参与 iQOO 系列手机的开发，包括器件选型、原理图设计、PCB 设计、试模装机、量产。负责试模阶段的主射频系统传导、谐波、干扰等问题的闭环。负责 NSA 组合的验证。 

负责XX国际知名科技品牌的新产品导入，包括 CR、DR 以及 FA。负责对接现场工程师并使用英语主持会议。